采用成熟的ST封裝半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)，1000A的大額定電流可減少甚至避免 IGBT 模塊并聯(lián)，顯著簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提升可靠性。高集成度與優(yōu)異的性能，在系統(tǒng)層面為客戶提供更具吸引力的性價(jià)比。出色的溫度循環(huán)能力，運(yùn)行結(jié)溫提升至175℃，顯著提高了產(chǎn)品功率密度。 該模塊配備全新的i23精細(xì)微溝槽柵型IGBT芯片組實(shí)現(xiàn)極高的電流密度，超低的損耗給模塊帶來出色的系統(tǒng)可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)

SISD01000ST120i23_A01

產(chǎn)品特點(diǎn)

• i23超低損耗微溝槽柵IGBT芯片組

• 高效 AI2O3絕緣陶瓷基板

• 高爬電距離與電氣間隙

• 低熱阻銅底板

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

競爭優(yōu)勢

• 基于多年功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)化的國產(chǎn)IGBT與二極管芯片組

• 高魯棒性短路耐受能力，提升系統(tǒng)安全性

• 優(yōu)化開關(guān)特性，降低高頻應(yīng)用中的功耗

• 支持高功率密度輸出，適用于緊湊型設(shè)備設(shè)計(jì)

• 采用可追溯性管理進(jìn)行質(zhì)量控制

應(yīng)用領(lǐng)域

• 光伏

• 儲(chǔ)能PCS

• 電機(jī)控制

• 商用車

• UPS

1200V 1000A ST封裝半橋IGBT模塊，現(xiàn)已量產(chǎn)。歡迎廣大客戶訪問賽晶半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。