i23系列 1200V 1000A/1100A IGBT模塊采用經(jīng)典ED封裝，超精細(xì)微溝槽柵技術(shù)下的i23芯片賦予模塊超低損耗Eon+Eoff，1200V/1000A 產(chǎn)品搭配加強(qiáng)型Si3N4 絕緣陶瓷覆銅基板，有效增強(qiáng)了模塊出流能力。1200V/1100A產(chǎn)品在此基礎(chǔ)上增加Pinfin散熱底板，實(shí)現(xiàn)最低最低熱阻的同時(shí)進(jìn)一步提升了出流能力，為大功率、高功率密度、高可靠性的光伏、儲(chǔ)能和商用車(chē)領(lǐng)域帶來(lái)全新的解決方案。

產(chǎn)品型號(hào)

• SISD1000ED120i23

• SISD1100ED120i23P

產(chǎn)品特點(diǎn)

• i23超低損耗微溝槽柵IGBT芯片組

• 加強(qiáng) Si3N4 絕緣陶瓷覆銅基板

• 低熱阻銅底板

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，低內(nèi)部阻抗

• 實(shí)現(xiàn)最低熱阻的針柱散熱底板

• 可選擇壓接式信號(hào)引腳

應(yīng)用領(lǐng)域

• 光伏逆變器

• 儲(chǔ)能PCS

• 商用車(chē)

• 變頻器

• 電焊機(jī)

• UPS

1200V 1000A/1100A ED封裝IGBT模塊，現(xiàn)已量產(chǎn)。歡迎廣大客戶訪問(wèn)賽晶半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。